Disputas: Ethan Schuyler Long

M.Sc. Ethan Schuyler Long ved Fysisk institutt vil forsvare sin avhandling for graden ph.d: ”Nanostructuring and Ge redistribution in thin films of Silicon-Germanium by thermal oxidation”

 

Ethan Schuyler Long

Tid og sted for prøveforelesning

Se prøveforelesning

Bedømmelseskomité

Leder av disputas

Professor Clas Persson

Veileder

Sammendrag

I dette doktorgradsarbeidet har fokus vært på å studere hvordan silisium og germanium kan bli nanostrukturert ved hjelp av en oksidasjonsprosess.  At de elektriske og optiske egenskapene av silisium/germanium-legeringer kan bli manipulert gjennom nanostrukturering skaper potensiale for bruk av en oksidasjonsprosess til konstruksjon av solceller, fotodetektorer, transistorer, nanotråder, og høyfrekvens elektronikk.

Slike oksiderte legeringer har i denne studien blitt modellert og grundig karakterisert ved hjelp av fysiske målinger gjort ved røntgendiffraksjon og spektroskopisk ellipsometri. Når en legering av krystallinsk silisium og germanium blir eksponert for en oppvarmet og oksygenrik atmosfære,  dannes det et silisiumoksidlag  på overflaten av legeringen som i sin tur fører til en dannelse av distinkte nanometerskalalag av legeringer med varierende overskudd av germanium.  Ved å styre temperaturen i denne oksidasjonsprosessen, kan man kontrollere germaniuminnholdet ved overflaten til legeringen og dermed også de optiske og elektriske egenskapene til materialet.

For mer informasjon

Kontakt Ekspedisjonskontoret:

e-post: ekspedisjon@fys.uio.no

Telefon: 22 85 64 28

Publisert 19. apr. 2013 13:52 - Sist endret 19. apr. 2013 13:54