Disputas: Helge Malmbekk

M.Sc. Helge Malmbekk ved Fysisk institutt vil forsvare sin avhandling for graden ph.d: ”Electrical characterization of hydrogen-vacancy-related defects in monocrystalline silicon”

 

Helge Malmbekk

Tid og sted for prøveforelesning

Se prøveforelesning

Bedømmelseskomité

Veileder

Sammendrag

Elektrisk aktive defekter, relatert til hydrogen i silisium, har blitt undersøkt for bedre å forstå dynamikken mellom defektkomplekser som begrenser konverteringseffektiviteten fra lys til strøm i solceller. Hydrogen er en vanlig forurensning i produksjonen av solceller, og kan potensielt ha både positive og negative konsekvenser for sluttproduktet, basert på hvilke komplekser det danner med andre defekter i solcellematerialet.

I denne avhandlingen har vi sett spesielt på vakans-hydrogen-relaterte defektnivåer, ved å identifisere forskjellige energinivåer som stammer fra ladningsendringer i samme defekt. I denne sammenhengen har vi bidratt med eksperimenter som styrker identifiseringen av vakans-oksygen-hydrogen-komplekset (VOH) samt utfordret identifiseringen av energinivåene til vakans-hydrogen- (VH) og divakans-hydrogen-kompleksene (V2H) i litteraturen.

I en studie av overgangen mellom et transparent ledende oksid og silisium, har vi funnet en sammenheng mellom defekter i sjiktet mellom materialene og likeretningen til dioden, skapt av deponeringen av oksidet på silisium

For mer informasjon

Kontakt Ekspedisjonskontoret:

e-post: ekspedisjon@fys.uio.no

Telefon: 22 85 64 28

Publisert 18. mars 2013 09:58 - Sist endret 18. mars 2013 14:32