Disputas: Chi Kwong Tang

M.Sc. Chi Kwong Tang ved Fysisk institutt vil forsvare sin avhandling for graden ph.d: ”Electrical studies of Fe-related defect complexes in silicon”

 

Chi Kwong Tang

Tid og sted for prøveforelesning

Se prøveforelesning

Bedømmelseskomité

Leder av disputas

Veileder

Sammendrag

I denne avhandlingen har vi undersøkt elektriske aktive defekter relatert til jern i silisium som har betydning for effektiviteten til solceller. Jern er blant de mest vanlige metal-forurensinger som enkelt blir introdusert i silisium materialet under størkning og under solcelle-prosessering på grunn av utstyrene som er brukt.  Mange typer defekter oppstår som følger av forurensningen og disse defektene har forskjellige elektriske egenskaper og termisk stabilitet. To velkjente jern-defekter forårsaker en såkalt Lys-Indusert-Degradering (”Light Induced Degradation” eller LID) som merkes ved at effektiviteten til solcellen degraderes under lys (under bruk) og deretter gjenvinnes gradvis den degraderte effektiviteten når lyset er borte. Gjennom å forske på defekt-reaksjoner er det mulig å minke eller passivere LID-effekten og andre negative effekter knyttet til jern. Resultatene i avhandlingen  har bidratt til en bedre forståelse av jern-relaterte defekter i silisium, der opprinnelsen til flere jern-relaterte defekter har blitt studert med DLTS (”Deep level transient spectroscopy”). I tillegg er disse defektene undersøkt for deres temperatur-avhengighet og deres tilknytninger mot hverandre. I et annet resultat er det vist at hydrogen, som ofte brukes til å passivere defekter, ikke har en passiverende effekt for Fe-relaterte LID-defektene, men imotsetning har en umiddelbar degraderende effekt for solceller.

Avhandlingens emne ligger innenfor fagfeltet halvleder fysikk, og er utført ved Mikro- og nanoteknologilaboratoriet, Fysisk Institutt, Universitetet i Oslo.

For mer informasjon

Kontakt Ekspedisjonskontoret:

e-post: ekspedisjon@fys.uio.no

Telefon: 22 85 64 28

Publisert 2. jan. 2013 13:19 - Sist endret 2. jan. 2013 14:15