Tid og sted for prøveforelesning
Bedømmelseskomité
- Senior Scientist Eddy Simoen, IMEC, Belgia
- Associate Professor Marisa Di Sabatino, NTNU, Norge
- Professor Aasmund Sudbø, Fysisk institutt, UiO, Norge
Leder av disputas
Veileder
- Professor Edouard Monakhov
- Professor Bengt Gunnar Svensson
- Førsteamanuensis Lasse Vines
Sammendrag
I denne avhandlingen har vi undersøkt elektriske aktive defekter relatert til jern i silisium som har betydning for effektiviteten til solceller. Jern er blant de mest vanlige metal-forurensinger som enkelt blir introdusert i silisium materialet under størkning og under solcelle-prosessering på grunn av utstyrene som er brukt. Mange typer defekter oppstår som følger av forurensningen og disse defektene har forskjellige elektriske egenskaper og termisk stabilitet. To velkjente jern-defekter forårsaker en såkalt Lys-Indusert-Degradering (”Light Induced Degradation” eller LID) som merkes ved at effektiviteten til solcellen degraderes under lys (under bruk) og deretter gjenvinnes gradvis den degraderte effektiviteten når lyset er borte. Gjennom å forske på defekt-reaksjoner er det mulig å minke eller passivere LID-effekten og andre negative effekter knyttet til jern. Resultatene i avhandlingen har bidratt til en bedre forståelse av jern-relaterte defekter i silisium, der opprinnelsen til flere jern-relaterte defekter har blitt studert med DLTS (”Deep level transient spectroscopy”). I tillegg er disse defektene undersøkt for deres temperatur-avhengighet og deres tilknytninger mot hverandre. I et annet resultat er det vist at hydrogen, som ofte brukes til å passivere defekter, ikke har en passiverende effekt for Fe-relaterte LID-defektene, men imotsetning har en umiddelbar degraderende effekt for solceller.
Avhandlingens emne ligger innenfor fagfeltet halvleder fysikk, og er utført ved Mikro- og nanoteknologilaboratoriet, Fysisk Institutt, Universitetet i Oslo.
For mer informasjon
Kontakt Ekspedisjonskontoret:
e-post: ekspedisjon@fys.uio.no
Telefon: 22 85 64 28