-
-
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Olsen, Vegard Skiftestad & Vines, Lasse
(2024).
Hvor går veien? Kvanteteknologiens potensiale i fremtidens teknologi. .
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Hebnes, Oliver Lerstøl; Schøyen, Øyvind; Winther-Larsen, Sebastian G.; Vines, Lasse & Hjorth-Jensen, Morten
(2024).
Predicting solid state material platforms for quantum technologies .
-
Bathen, Marianne Etzelmüller & Vines, Lasse
(2024).
Semiconductors as quantum materials - Ongoing research at the LENS group.
-
Ousdal, Erlend Lemva; Bathen, Marianne Etzelmüller & Vines, Lasse
(2023).
Controlling directionality of emission from quantum defects through microstructures in Silicon Carbide
.
-
Ousdal, Erlend Lemva; Bathen, Marianne Etzelmüller & Vines, Lasse
(2023).
Optical and electrical characterization of potential single photon emitters in 6H silicon carbide
.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller
(2023).
Foredrag om MiNaLab og kvanteteknologi for Byråd for kultur og næring i Oslo kommune .
-
Bathen, Marianne Etzelmüller & Vines, Lasse
(2023).
Point defects in semiconductors for quantum technologies
Ongoing research at
the University of Oslo.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller
(2023).
QUANTUM COMPUTERS
How they work and how to make them .
-
Bathen, Marianne Etzelmüller
(2023).
Deltakelse i Abels Tårn, NRK, 03.11.2023.
[Radio].
NRK.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller
(2023).
How to build a quantum technology platform.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller & Vines, Lasse
(2023).
Studieretning i kvanteteknologi.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Kumar, Piyush; Ghezellou, Misagh; Belanche, Manuel; Vines, Lasse & Ul-Hassan, Jawad
[Vis alle 7 forfattere av denne artikkelen]
(2023).
Dual configuration of shallow acceptor levels in 4H-SiC.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Razinkovas, Lukas; Linderälv, Christopher; Vines, Lasse & Grossner, Ulrike
(2023).
Quantum pressure sensing using the vibronic spectrum of color centers .
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Johnson, Brett C.; Galeckas, Augustinas; martins, maria m; Kumar, Piyush & Silkinis, Rokas
[Vis alle 11 forfattere av denne artikkelen]
(2023).
Doping-induced color centers in silicon carbide .
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Enga, Marius Johan; Selnesaunet, Gard Momrak; Kjeldby, Snorre Braathen; Galeckas, Augustinas & Müting, Johanna
[Vis alle 8 forfattere av denne artikkelen]
(2022).
Charge state control over point defects in SiC devices.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Kumar, Piyush; martins, maria m; Woerle, Judith; Prokscha, Thomas & Grossner, Ulrike
(2022).
Interaction of in-diffused nitrogen with C and Si lattice sites and vacancies after thermal oxidation and NO annealing.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Karsthof, Robert Michael; Kumar, Piyush; Galeckas, Augustinas; Kuznetsov, Andrej & Vines, Lasse
[Vis alle 7 forfattere av denne artikkelen]
(2022).
Impact of C-injection in 4H-SiC on defect
distribution and minority carrier lifetime.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Karsthof, Robert Michael; Kumar, Piyush; Galeckas, Augustinas; Kuznetsov, Andrej Yu. & Vines, Lasse
[Vis alle 7 forfattere av denne artikkelen]
(2022).
Impact of C-injection in SiC on defect
distribution and minority carrier lifetime.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Hebnes, Oliver Lerstøl; Schøyen, Øyvind Sigmundson; Winther-Larsen, Sebastian Gregorius; Vines, Lasse & Hjorth-Jensen, Morten
(2022).
Predicting Solid State Material Platforms for Quantum Technologies.
-
Einevoll, Gaute & Bathen, Marianne Etzelmüller
(2022).
Podcast #63: Om kvantedatamaskiner.
[Internett].
Podcast "Vett og vitenskap".
-
Karsthof, Robert Michael; Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas & Vines, Lasse
(2022).
Conversion pathways of primary defects by annealing in proton-irradiated n-type 4H-SiC.
-
Galeckas, Augustinas; Karsthof, Robert Michael; Gana, Kingsly; Kok, Angela; Bathen, Marianne Etzelmüller & Vines, Lasse
[Vis alle 7 forfattere av denne artikkelen]
(2022).
Cross-sectional carrier lifetime profiling and deep level monitoring in silicon carbide films exhibiting variable carbon vacancy concentrations.
Vis sammendrag
We report on the carrier lifetime control over 150 μmthick 4H-SiC epitaxial layers via thermal generation and annihilation of carbon vacancy (VC) related Z1/2lifetime killer sites. The defect developments upon typical SiC processing steps, such as high- and moderate-temperature anneals in the presence of a carbon cap,are monitored by combining electrical characterization techniques capable of VC depth-profiling, capacitance-voltage (CV) and deep-level transient spectroscopy (DLTS), with a novel all-optical approach of cross-sectional carrier lifetime profiling across 4H-SiC epilayer/substrate based on imaging time-resolved photoluminescence (TRPL) spectroscopy in orthogonal pump-probe geometry,which readily exposes in-depth efficacy ofdefect reduction and surface recombination effects.The lifetime control is realized byinitialhigh-temperature treatment (1800ºC) to increase VC concentration to ~1013 cm-3 level followed by a moderate-temperature (1500ºC) post-annealing of variable duration under C-rich thermodynamic equilibrium conditions. The post-annealing carried out for 5 hours in effect eliminates VCthroughout the entire ultra-thick epilayer. The reduction of VC-related Z1/2 sites is proven by a significant lifetime increase from 0.8 μs to 2.5 μs. We discuss the upper limit of lifetimes in terms of carrier surface leakage and presence of other non-radiative recombination centers besides Z1/2, possibly related to residual impurities such as boron.
-
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Karsthof, Robert Michael; Linnarsson, Margareta; Galeckas, Augustinas; Kuznetsov, Andrej & Grossner, Ulrike
[Vis alle 7 forfattere av denne artikkelen]
(2021).
Stability, evolution and diffusion of intrinsic point defects in 4H-SiC.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller
(2021).
Resolving the vibronic fine structure of emission from the silicon vacancy in 4H silicon carbide.
-
Karsthof, Robert Michael; Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas & Vines, Lasse
(2021).
Conversion pathways of primary defects by annealing in
proton-irradiated n-type 4H-SiC.
-
Karsthof, Robert Michael; Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Enga, Marius & Vines, Lasse
(2021).
Conversion pathways of primary defects by annealing in
proton-irradiated n-type 4H-SiC.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller
(2021).
Paneldeltager på radioprogrammet Abels Tårn.
[Radio].
NRK P2.
Vis sammendrag
Hvorfor blir Creme Fraichen flytende når man rører i den?
• Kan man bygge luftskip med vakuum med nye supersterke materialer?
• Er det bedre for de snille bakteriene å vaske med eddik?
• Alt du (ikke) vil vite om harskt fett
• Finnes det materialer som kan stoppe et magnetfelt?
• Skal man pusse tenna før eller etter frokost?
• Brød fra brødskjæreren: plastpose først, så originalemballasje, eller motsatt?
Panelet:
Nanoteknolog Marianne Etzelmüller Bathen
Kjemiker Einar Uggerud
Mikrobiolog Jessica Lönn-Stensrud
-
Bathen, Marianne Etzelmüller
(2020).
Deltagelse i panelet til Radioprogrammet Abels Tårn.
[Radio].
NRK P2.
Vis sammendrag
Det sies at veps og bier skilte lag og blei til ulike arter da den ene blei kjøtteter og den andre vegetarianer. Kan det samme skje med mennesket?
• Kosthold og artsdannelse. Kikertspisere vs kotelettspisere.
• Siste nytt fra usynlighetskappefronten
• Succusjonens rolle i homøopatien
• Hvordan kommer meitemark seg til fjerne øyer?
• Er slikkepottrester i maten farlig?
• En kortstokk og tilfeldigheter
• Hvordan klarte bisonen å ikke bli utrydda?
• Tredemølle med stigning vs. løping i ekte motbakke
I panelet
Nanoteknolog Marianne Etzelmüller Bathen
Kjemiker Ole Zwang
Paleontolog Lene Liebe Delsett
-
Bathen, Marianne Etzelmüller & Olsen, Vegard Skiftestad
(2020).
Foredrag for FA-studenter om halvlederfysikk.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller & Olsen, Vegard Skiftestad
(2020).
Foredrag for MENA-studenter om halvlederfysikk .
-
Bathen, Marianne Etzelmüller
(2020).
Deltagelse på Abels Tårn, NRK P2.
[Radio].
NRK P2.
Vis sammendrag
Hvorfor blir noen IKKE bitt av mygg (til alle andres ergrelse), og hvorfor blir man til spagetti om man hopper ned i et sort hull? Hele menyen: - Kan det bryte ut en helt ny pandemi på romstasjonen? - Hvorfor bærer lyden så godt over vann? - Skyldes pandemier menneskets tukling med naturen? - Kan koronaisolasjon ta knekken på andre sjukdommer? - Kan virus og bakterier bli resistente mot antibac? - Hvorfor bryter Newtons lover sammen i ekstreme situasjoner? - Sjefer som ikke blir bitt av mygg - Vokser håret mer når man sover? - Er elbiler virkelig klimavennlige også i land med BARE kullkraft? - Blir insekter gamle og grå som oss? I panelet: Insektøkolog Anne Sverdrup Thygeson Fysiker Marianne Etzelmüller Bathen Lege Steinar Madsen
-
-
Bathen, Marianne Etzelmüller
(2019).
Intervju av TV2 Nyhetskanalen, kl 0710, om kvantedatamaskiner.
[TV].
TV2 Nyhetskanalen.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller & Jemterud, Torkild
(2019).
Abels Tårn.
[Radio].
NRK P2.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller & Jemterud, Torkild
(2019).
Abels tårn .
[Radio].
NRK P2.
Vis sammendrag
En lytter fra Nord-Norge vil gjerne få nok luft, men slippe en halv meter snø inn gjennom soveromsvinduet på vinteren. Kan potteplanter gjøre susen? - Potteplanter som oksygenprodusenter på soverommet - Nanosvamper fjerner grønske på terrassen - Er det en dag i året der sola står opp på likt langs en hel lengdegrad? - Skyldes årets enorme mengder fnokk tørkestress fra forrige sommer? - Hvorfor kommer det blod og fiskesøl ut av tinende poser fra fryseren? - "Ingen regel uten unntak", heter det. Et paradoks? - Hvordan kan vaniljerot være en plante, når den ikke har klorofyll? I panelet: Botaniker Charlotte Sletten Bjorå Nanoteknolog Marianne Bathen Matematiker Andreas Nakkerud
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Müting, Johanna; Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Grossner, Ulrike & Coutinho, J
[Vis alle 7 forfattere av denne artikkelen]
(2019).
Electrical enhancement and switching of single-photon emission from the silicon vacancy in 4H-SiC.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller
(2019).
Kvantedatamaskiner - prinsipp, funksjon, og hvordan de nokså enkelt kan lages på labben.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller & Olsen, Vegard Skiftestad
(2019).
Omvisning for FA og ELITE.
-
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Müting, Johanna; Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Grossner, Ulrike & Coutinho, José
[Vis alle 8 forfattere av denne artikkelen]
(2019).
Electrical charge-state identification and emission intensity modulation of the silicon vacancy in 4H-SiC.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Müting, Johanna; Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Grossner, Ulrike & Coutinho, José
[Vis alle 7 forfattere av denne artikkelen]
(2019).
Electrical enhancement and switching of single-photon emission from the silicon vacancy in 4H-Si.
Vis sammendrag
The high-spin ground state and bright single-photon emission of the silicon vacancy (VSi) in 4H-SiC offer exciting possibilities for quantum technology and spintronics applications, especially as both are available at room temperature [1,2]. However, quantum compatibility only exists for the singly negative VSi, and single-photon counts are still too low to realize efficient spin-photon interfaces without resorting to complex nanofabrication methods [3]. Herein, we demonstrate enhanced optical emission from VSi using Schottky barrier diode (SBD) formation, and attribute our findings to increased occupancies of VSi-1.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller & Vines, Lasse
(2019).
Point defects in semiconductors for quantum technology: Example of silicon vacancy in silicon carbide.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller
(2019).
Abels Tårn.
[Radio].
NRK P2.
Vis sammendrag
Nå står kampen om gruveavfall i Repparfjorden. Men gruven skal produsere både kobber og sølv som brukes i solceller. Er det egentlig bærekraftig å skulle produsere nok solceller til å erstatte all verdens fosile energikilder? - Hvis man tar stikling av en stikling av en stikling etc - er det da samme plante 1000 år seinere? - Noen sier det går strøm i telefonladere som står i, gjør det det? - Er egentlig solceller bærekraftig - når man ser på metallene som brukes for å lage dem? - Hvorfor står det Aloe barbadensis på innholdsfortegnelsen på Aloe vera produkter? - Hvordan kan en qbit være både 0 og 1 på en gang? I panelet: Botaniker Charlotte Sletten Bjorå Elektroingeniør Sverre Holm Kvantefysiker/nanoteknolog Marianne Etzelmüller Bathen
-
Bathen, Marianne Etzelmüller
(2019).
Kvantedatamaskiner - prinsipp, funksjon, og hvordan de nokså enkelt kan lages på labben.
Vis sammendrag
Datamaskiner styrer en stadig større del av hverdagen vår, og når bruken av digitale verktøy øker, trenger vi også kraftigere datamaskiner. Det finnes haugevis av oppgaver som dagens superdatamaskiner enten er for svake til, eller ikke laget for, å gjøre. Forskere over hele verden jobber med dette problemet, og kvantedatamaskiner har seilt frem som en mulig løsning.
Men, kvantedatamaskinene som har blitt laget så langt, er bygd opp av veldig få såkalte kvantebits. Disse lages av dyre materialer, er veldig vanskelige å lage og kan kun operere ved ekstremt lave temperaturer. Derfor ønsker man å finne et bedre alternativ, for eksempel ved å bruke halvledermaterialer, som ellers brukes som transistorer, lys-emitterende dioder og solceller.
Marianne Etzelmüller Bathen er forsker ved Fysisk institutt, og jobber med å lage og kontrollere kvantebits i halvledere. Hun vil snakke om hvordan de nye kvantedatamaskinene fungerer, hva de kan brukes til, hvordan de skiller seg fra de gamle og hvordan hun og hennes kolleger jobber for å legge grunnlaget for en fremtidig IT-revolusjon.
-
-
Bathen, Marianne Etzelmüller & Vogt, Yngve
(2018).
Jakter på fremtidens IT-revolusjon.
[Tidsskrift].
Teknisk ukeblad.
-
Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Ul Hassan, Jawad; Bergman, J. P. & Nipoti, Roberta
[Vis alle 8 forfattere av denne artikkelen]
(2018).
Controlling the Carbon Vacancy in 4H-SiC By Thermal Processing.
-
-
-
Coutinho, José; Gouveia, J. D.; Demmouche, K.; Bathen, Marianne Etzelmüller & Svensson, Bengt Gunnar
(2018).
Carbon vacancies and interstitials in 3C- and 4H-SiC: theoretical milestones and challenges.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Frodason, Ymir Kalmann; Vines, Lasse & Svensson, Bengt Gunnar
(2018).
Tuning silicon vacancy formation in 4H-SiC via proton irradiation for quantum technology.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Vines, Lasse; Galeckas, Augustinas; Frodason, Ymir Kalmann & Svensson, Bengt Gunnar
(2018).
Correlating charge state transitions of the Si vacancy to the S1/S2 peaks in DLTS spectra of n-type 4H-SiC.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Vines, Lasse; Galeckas, Augustinas; Frodason, Ymir Kalmann & Svensson, Bengt Gunnar
(2018).
Charge state transitions of the silicon vacancy in 4H-SiC: Combined DLTS, PL and DFT study.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Ingebrigtsen, Mads Eide; Olsen, Vegard Skiftestad; Rønning, Vegard & Vines, Lasse
(2018).
Omvisning for studieprogrammene FA og ELITE .
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Vines, Lasse & Riise, Heine Nygard
(2018).
Ina tar valget: halvlederfysikk.
Vis sammendrag
Informasjonsvideo om pågående forskningsprosjekter og muligheter for å ta mastergrad ved gruppe for halvlederfysikk (LENS) ved Universitetet i Oslo (UiO). Bidraget ble publisert som en del av serien Ina tar valget på Snapchat-kanalen til fysisk institutt ved UiO.
-
Monakhov, Edouard; Bathen, Marianne Etzelmüller; Bergum, Kristin; Sky, Thomas Neset & Weiser, Philip Michael
(2017).
Omvisning for the National Natural Science Foundation of China.
-
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Bergum, Kristin; Ellingsen, Josef Gert Åsheim; Grini, Sigbjørn; Sky, Thomas Neset & Aarseth, Bjørn Brevig
(2017).
Omvisning for Arendal VGS.
-
Riise, Heine Nygard; Bathen, Marianne Etzelmüller; Borgersen, Jon Arthur; Grini, Sigbjørn & Johansen, Klaus Magnus H
(2017).
Besøk frå Nanoskolen 2017.
-
Riise, Heine Nygard; Bathen, Marianne Etzelmüller; Grini, Sigbjørn; Olsen, Vegard Skiftestad & Sky, Thomas Neset
(2017).
Omvisning MENA.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Vines, Lasse; Farkas, Ildiko; Janzen, Erik & Svensson, Bengt Gunnar
(2017).
Diffusion of the Carbon Vacancy in a-cut and c-cut n-type 4H-SiC.
-
-
Selnesaunet, Gard Momrak; Vines, Lasse & Bathen, Marianne Etzelmüller
(2021).
Nanostructuring of SiC for novel defect-based quantum technologies.
Universitetet i Oslo.
Vis sammendrag
Point defects in semiconductors have emerged as viable candidates for quantumbased technologies such as quantum computing, communication, and sensing. The present work is related to quantum compatible point defects in silicon carbide (SiC), particularly the silicon vacancy, a point defect and material system that has received considerable research interest in the last few years. In this thesis, a fabrication process was developed for producing structures in SiC that can be used as, e.g., waveguides for single-photon emission. This was performed by depositing a SiO2 layer with plasma chemical vapor deposition (PECVD) on a high purity 4H-SiC wafer. Next, with photolithography, the SiO2 layer was patterned with a photoresist mask in a reactive ion etching (RIE) step. The patterned SiO2 layer was then used as a hard mask for a subsequent RIE step, finalizing the photonic device. A thin nickel layer was deposited on the structures with physical vapor deposition (PVD) for the charge-state control through a liftoff process with a photoresist mask. Defect creation was achieved by 21 keV He implantation to a fluence of 1×1011 cm−2 with an ion implanter. In a scanning electron microscope (SEM), the device morphology showed sharply defined features with almost vertical sidewalls. The diffraction limit from the photolithography resulted in increasingly tilted sidewalls as the structures decreased in size. The optical properties were characterized with cathodoluminescence (CL) spectroscopy and exhibited emission in the V1 and V1’ zero-phonon lines (ZPLs) associated with the VSi. Charge-state control of the VSi was identified by enhancing the V− Si CL emission intensity in the depletion region of the Schottky contact, with a reduction in intensity towards the depletion region edge. By utilizing angle-resolved cathodoluminescence (ARCL) spectroscopy, the radiation profiles of the photonic structures were shown to be altered compared to the Lambertian radiation profile of the implanted wafer. Though no electromagnetic wave propagation in discrete modes (waveguiding effect) was observed, the photonic devices enhanced the emission intensity of the VSi in all directions by functioning as a lens with a higher numerical aperture than the wafer, and the lens had characteristics similar to a combination of a solid immersion lens (SIL) and an optical fiber. The findings presented herein are important for further photonic device fabrication in 4H-SiC, and lay the groundwork for incorporating quantum compatible point defects in electrically driven quantum technology devices.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller
(2020).
Point Defects in silicon carbide for quantum technologies: Identification, tuning and control .
det matematisk naturvitenskapelige fakultet.