mariebat
Faglige interesser
Jeg forsker på defekter i halvledere, altså ting som er feil med krystallstrukturen til halvlederen, som kan brukes som byggeklosser (kvantebits) i kvantedatamaskiner. Materialet jeg forsker på heter silisiumkarbid, og vi bruker ioneimplantasjon (skyter med ionekanon) for å lage kvantebit-defektene. De eksperimentelle teknikkene vi bruker for å studere defektene vi lager dreier rundt elektrisk og optisk karakterisering, og jeg modellerer defektene teoretisk med density functional theory (DFT).
Undervisning
FYS2140, V2017
FYS1120, H2017
FYS2140, V2018
FYS2140, V2019
FYS2210, H2019
Verv
2017-d.d. Medlem av Tilsettingsutvalget ved Fysisk institutt
2018-2019 Medlem av Ph.d.-programrådet ved MN-fakultetet
Bakgrunn
2011-2016 Siv. Ing. i nanoteknologi, NTNU
2014-2015 Utveksling ved Univeristy of California, San Diego (UCSD)
Publikasjoner
-
Karsthof, Robert Michael; Bathen, Marianne Etzelmüller; Kuznetsov, Andrej & Vines, Lasse (2022). Formation of carbon interstitial-related defect levels by thermal injection of carbon into n-type 4H-SiC. Journal of Applied Physics. ISSN 0021-8979. 131. doi: 10.1063/5.0077308. Fulltekst i vitenarkiv
-
Bathen, Marianne Etzelmüller & Vines, Lasse (2021). Manipulating Single-Photon Emission from Point Defects in Diamond and Silicon Carbide. Advanced Quantum Technologies. 4. doi: 10.1002/qute.202100003. Fulltekst i vitenarkiv
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Karsthof, Robert Michael; Delteil, Aymeric; Sallet, Vincent & Kuznetsov, Andrej [Vis alle 7 forfattere av denne artikkelen] (2021). Resolving Jahn-Teller induced vibronic fine structure of silicon vacancy quantum emission in silicon carbide. Physical review B (PRB). ISSN 2469-9950. 104. doi: 10.1103/PhysRevB.104.045120. Fulltekst i vitenarkiv
-
Woerle, Judith; Bathen, Marianne Etzelmüller; Prokscha, Thomas; Galeckas, Augustinas; Ayedh, Hussein Mohammed Hussein & Vines, Lasse [Vis alle 7 forfattere av denne artikkelen] (2020). Muon Interaction with Negative-U and High-Spin-State Defects: Differentiating Between C and Si Vacancies in 4H-SiC. Physical Review Applied. ISSN 2331-7019. 14. doi: 10.1103/PhysRevApplied.14.054053. Fulltekst i vitenarkiv
-
Karsthof, Robert Michael; Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas & Vines, Lasse (2020). Conversion pathways of primary defects by annealing in proton-irradiated n-type 4H-SiC. Physical review B (PRB). ISSN 2469-9950. 102(18). doi: 10.1103/PhysRevB.102.184111. Fulltekst i vitenarkiv Vis sammendrag
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Vines, Lasse & Coutinho, José (2020). First-principles calculations of Stark shifts of electronic transitions for defects in semiconductors: the Si vacancy in 4H-SiC. Journal of Physics: Condensed Matter. ISSN 0953-8984. 33(7). doi: 10.1088/1361-648X/abc804. Fulltekst i vitenarkiv Vis sammendrag
-
Vasquez, Geraldo Cristian; Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Bazioti, Kalliopi; Johansen, Klaus Magnus H & Maestre, D. [Vis alle 11 forfattere av denne artikkelen] (2020). Strain Modulation of Si Vacancy Emission from SiC Micro- and Nanoparticles. Nano Letters. ISSN 1530-6984. 20(12), s. 8689–8695. doi: 10.1021/acs.nanolett.0c03472. Fulltekst i vitenarkiv
-
Reinertsen, Vilde Mari; Weiser, Philip Michael; Frodason, Ymir Kalmann; Bathen, Marianne Etzelmüller; Vines, Lasse & Johansen, Klaus Magnus H (2020). Anisotropic and trap-limited diffusion of hydrogen/deuterium in monoclinic gallium oxide single crystals. Applied Physics Letters. ISSN 0003-6951. 117. doi: 10.1063/5.0027333. Fulltekst i vitenarkiv
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Linnarsson, Margareta; Ghezellou, Mizagh; Ul Hassan, Jawad & Vines, Lasse (2020). Influence of Carbon Cap on Self-Diffusion in Silicon Carbide. Crystals. ISSN 2073-4352. 10(9). doi: 10.3390/cryst10090752. Fulltekst i vitenarkiv Vis sammendrag
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Coutinho, José & Vines, Lasse (2020). Influence of hydrogen implantation on emission from the silicon vacancy in 4H-SiC. Journal of Applied Physics. ISSN 0021-8979. 127(8). doi: 10.1063/1.5140659. Fulltekst i vitenarkiv Vis sammendrag
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Müting, Johanna; Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Grossner, Ulrike & Coutinho, José [Vis alle 8 forfattere av denne artikkelen] (2019). Electrical charge state identification and control for the silicon vacancy in 4H-SiC. npj Quantum Information. ISSN 2056-6387. 5(1), s. 1–9. doi: 10.1038/s41534-019-0227-y. Fulltekst i vitenarkiv
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Coutinho, José; Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Hassan, Jawad U; Farkas, Ildiko & Öberg, Sven [Vis alle 9 forfattere av denne artikkelen] (2019). Anisotropic and plane-selective migration of the carbon vacancy in SiC: Theory and experiment. Physical review B (PRB). ISSN 2469-9950. 100(1), s. 014103-1–014103-15. doi: 10.1103/PhysRevB.100.014103. Fulltekst i vitenarkiv
-
Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Hassan, Jawad U; Bergman, J. P. & Nipoti, Roberta [Vis alle 8 forfattere av denne artikkelen] (2018). Controlling the carbon vacancy in 4H-SiC by thermal processing. ECS Transactions. ISSN 1938-5862. 86(12), s. 91–97. doi: 10.1149/08612.0091ecst.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Vines, Lasse; Farkas, Ildiko; Janzen, Erik & Svensson, Bengt Gunnar (2018). Diffusion of the Carbon Vacancy in a-Cut and c-Cut n-Type 4H-SiC. Materials Science Forum. ISSN 0255-5476. 924, s. 200–203. doi: 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.200.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller & Linder, Jacob (2017). Spin Seebeck effect and thermoelectric phenomena in superconducting hybrids with magnetic textures or spin-orbit coupling. Scientific Reports. ISSN 2045-2322. 7, s. 1–13. doi: 10.1038/srep41409. Fulltekst i vitenarkiv
-
Linder, Jacob & Bathen, Marianne Etzelmüller (2016). Spin caloritronics with superconductors: Enhanced thermoelectric effects, generalized Onsager response-matrix, and thermal spin currents. Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics. ISSN 1098-0121. 93(22). doi: 10.1103/PhysRevB.93.224509. Fulltekst i vitenarkiv
-
Karsthof, Robert Michael; Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas & Vines, Lasse (2021). Conversion pathways of primary defects by annealing in proton-irradiated n-type 4H-SiC.
-
Karsthof, Robert Michael; Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Enga, Marius & Vines, Lasse (2021). Conversion pathways of primary defects by annealing in proton-irradiated n-type 4H-SiC.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller (2021). Paneldeltager på radioprogrammet Abels Tårn. [Radio]. NRK P2. Vis sammendrag
-
Bathen, Marianne Etzelmüller (2020). Deltagelse i panelet til Radioprogrammet Abels Tårn. [Radio]. NRK P2. Vis sammendrag
-
Bathen, Marianne Etzelmüller & Olsen, Vegard Skiftestad (2020). Foredrag for FA-studenter om halvlederfysikk.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller & Olsen, Vegard Skiftestad (2020). Foredrag for MENA-studenter om halvlederfysikk .
-
Bathen, Marianne Etzelmüller (2019). The future of quantum computing: Beyond the superconducting paradigm.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller (2019). Intervju av TV2 Nyhetskanalen, kl 0710, om kvantedatamaskiner. [TV]. TV2 Nyhetskanalen.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller & Jemterud, Torkild (2019). Abels Tårn. [Radio]. NRK P2.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Müting, Johanna; Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Grossner, Ulrike & Coutinho, J [Vis alle 7 forfattere av denne artikkelen] (2019). Electrical enhancement and switching of single-photon emission from the silicon vacancy in 4H-SiC.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller (2019). Kvantedatamaskiner - prinsipp, funksjon, og hvordan de nokså enkelt kan lages på labben.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller & Olsen, Vegard Skiftestad (2019). Omvisning for FA og ELITE.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller & Caroline, Enge (2019). Norske studenter lager spill til «den neste store teknologien»: Kvantedatamaskinen. [Avis]. Aftenposten. Vis sammendrag
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Müting, Johanna; Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Grossner, Ulrike & Coutinho, José [Vis alle 8 forfattere av denne artikkelen] (2019). Electrical charge-state identification and emission intensity modulation of the silicon vacancy in 4H-SiC.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Müting, Johanna; Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Grossner, Ulrike & Coutinho, José [Vis alle 7 forfattere av denne artikkelen] (2019). Electrical enhancement and switching of single-photon emission from the silicon vacancy in 4H-Si. Vis sammendrag
-
Bathen, Marianne Etzelmüller & Vines, Lasse (2019). Point defects in semiconductors for quantum technology: Example of silicon vacancy in silicon carbide.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller (2019). Kvantedatamaskiner - prinsipp, funksjon, og hvordan de nokså enkelt kan lages på labben.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Borgersen, Jon Arthur; Karlsen, Kjetil; Nyborg, Martin; Olsen, Vegard Skiftestad & Reinertsen, Vilde Mari [Vis alle 7 forfattere av denne artikkelen] (2019). Skolebesøk ved MiNaLab.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller & Vogt, Yngve (2018). Jakter på fremtidens IT-revolusjon. [Tidsskrift]. Teknisk ukeblad.
-
Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Ul Hassan, Jawad; Bergman, J. P. & Nipoti, Roberta [Vis alle 8 forfattere av denne artikkelen] (2018). Controlling the Carbon Vacancy in 4H-SiC By Thermal Processing.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller & Vogt, Yngve (2018). Defekte materialer kan brukes til kvantedatamaskiner. [Tidsskrift]. Apollon. Vis sammendrag
-
Bathen, Marianne Etzelmüller (2018). Hvordan kan vi lage fremtidens datamaskiner? .
-
Coutinho, José; Gouveia, J. D.; Demmouche, K.; Bathen, Marianne Etzelmüller & Svensson, Bengt Gunnar (2018). Carbon vacancies and interstitials in 3C- and 4H-SiC: theoretical milestones and challenges.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Frodason, Ymir Kalmann; Vines, Lasse & Svensson, Bengt Gunnar (2018). Tuning silicon vacancy formation in 4H-SiC via proton irradiation for quantum technology.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Vines, Lasse; Galeckas, Augustinas; Frodason, Ymir Kalmann & Svensson, Bengt Gunnar (2018). Correlating charge state transitions of the Si vacancy to the S1/S2 peaks in DLTS spectra of n-type 4H-SiC.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Vines, Lasse; Galeckas, Augustinas; Frodason, Ymir Kalmann & Svensson, Bengt Gunnar (2018). Charge state transitions of the silicon vacancy in 4H-SiC: Combined DLTS, PL and DFT study.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Ingebrigtsen, Mads Eide; Olsen, Vegard Skiftestad; Rønning, Vegard & Vines, Lasse (2018). Omvisning for studieprogrammene FA og ELITE .
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Vines, Lasse & Riise, Heine Nygard (2018). Ina tar valget: halvlederfysikk. Vis sammendrag
-
Monakhov, Edouard; Bathen, Marianne Etzelmüller; Bergum, Kristin; Sky, Thomas Neset & Weiser, Philip Michael (2017). Omvisning for the National Natural Science Foundation of China.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Borgersen, Jon Arthur; Grini, Sigbjørn; Johansen, Klaus Magnus H; Nyborg, Martin & Olsen, Vegard Skiftestad [Vis alle 7 forfattere av denne artikkelen] (2017). Omvisning FAM.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Bergum, Kristin; Ellingsen, Josef Gert Åsheim; Grini, Sigbjørn; Sky, Thomas Neset & Aarseth, Bjørn Brevig (2017). Omvisning for Arendal VGS.
-
Riise, Heine Nygard; Bathen, Marianne Etzelmüller; Borgersen, Jon Arthur; Grini, Sigbjørn & Johansen, Klaus Magnus H (2017). Besøk frå Nanoskolen 2017.
-
Riise, Heine Nygard; Bathen, Marianne Etzelmüller; Grini, Sigbjørn; Olsen, Vegard Skiftestad & Sky, Thomas Neset (2017). Omvisning MENA.
-
Bathen, Marianne Etzelmüller; Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Vines, Lasse; Farkas, Ildiko; Janzen, Erik & Svensson, Bengt Gunnar (2017). Diffusion of the Carbon Vacancy in a-cut and c-cut n-type 4H-SiC.
-
Enga, Marius Johan; Vines, Lasse & Bathen, Marianne Etzelmüller (2021). Exploring Defects in Silicon Carbide for Quantum Technologies; A Density Functional Theory Study. Universitetet i Oslo, Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet.
-
Selnesaunet, Gard Momrak; Vines, Lasse & Bathen, Marianne Etzelmüller (2021). Nanostructuring of SiC for novel defect-based quantum technologies. Universitetet i Oslo, Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet. Vis sammendrag
-
Bathen, Marianne Etzelmüller (2020). Point Defects in silicon carbide for quantum technologies: Identification, tuning and control . det matematisk naturvitenskapelige fakultet.