mariebat

Bilde av person
Kan ikke hente personopplysninger fra ekstern kilde

Faglige interesser

Jeg forsker på defekter i halvledere, altså ting som er feil med krystallstrukturen til halvlederen, som kan brukes som byggeklosser (kvantebits) i kvantedatamaskiner. Materialet jeg forsker på heter silisiumkarbid, og vi bruker ioneimplantasjon (skyter med ionekanon) for å lage kvantebit-defektene. De eksperimentelle teknikkene vi bruker for å studere defektene vi lager dreier rundt elektrisk og optisk karakterisering, og jeg modellerer defektene teoretisk med density functional theory (DFT). 

 

Undervisning

FYS2140, V2017

FYS1120, H2017

FYS2140, V2018

FYS2140, V2019

FYS2210, H2019

 

Verv

2017-d.d. Medlem av Tilsettingsutvalget ved Fysisk institutt

2018-2019 Medlem av Ph.d.-programrådet ved MN-fakultetet 

 

Bakgrunn

2011-2016 Siv. Ing. i nanoteknologi, NTNU

2014-2015 Utveksling ved Univeristy of California, San Diego (UCSD)

 

Emneord: SMN

Publikasjoner

  • Karsthof, Robert Michael; Bathen, Marianne Etzelmüller; Kuznetsov, Andrej & Vines, Lasse (2022). Formation of carbon interstitial-related defect levels by thermal injection of carbon into n-type 4H-SiC. Journal of Applied Physics. ISSN 0021-8979. 131. doi: 10.1063/5.0077308. Fulltekst i vitenarkiv
  • Bathen, Marianne Etzelmüller & Vines, Lasse (2021). Manipulating Single-Photon Emission from Point Defects in Diamond and Silicon Carbide. Advanced Quantum Technologies. 4. doi: 10.1002/qute.202100003. Fulltekst i vitenarkiv
  • Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Karsthof, Robert Michael; Delteil, Aymeric; Sallet, Vincent & Kuznetsov, Andrej [Vis alle 7 forfattere av denne artikkelen] (2021). Resolving Jahn-Teller induced vibronic fine structure of silicon vacancy quantum emission in silicon carbide. Physical review B (PRB). ISSN 2469-9950. 104. doi: 10.1103/PhysRevB.104.045120. Fulltekst i vitenarkiv
  • Woerle, Judith; Bathen, Marianne Etzelmüller; Prokscha, Thomas; Galeckas, Augustinas; Ayedh, Hussein Mohammed Hussein & Vines, Lasse [Vis alle 7 forfattere av denne artikkelen] (2020). Muon Interaction with Negative-U and High-Spin-State Defects: Differentiating Between C and Si Vacancies in 4H-SiC. Physical Review Applied. ISSN 2331-7019. 14. doi: 10.1103/PhysRevApplied.14.054053. Fulltekst i vitenarkiv
  • Karsthof, Robert Michael; Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas & Vines, Lasse (2020). Conversion pathways of primary defects by annealing in proton-irradiated n-type 4H-SiC. Physical review B (PRB). ISSN 2469-9950. 102(18). doi: 10.1103/PhysRevB.102.184111. Fulltekst i vitenarkiv
  • Bathen, Marianne Etzelmüller; Vines, Lasse & Coutinho, José (2020). First-principles calculations of Stark shifts of electronic transitions for defects in semiconductors: the Si vacancy in 4H-SiC. Journal of Physics: Condensed Matter. ISSN 0953-8984. 33(7). doi: 10.1088/1361-648X/abc804. Fulltekst i vitenarkiv
  • Vasquez, Geraldo Cristian; Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Bazioti, Kalliopi; Johansen, Klaus Magnus H & Maestre, D. [Vis alle 11 forfattere av denne artikkelen] (2020). Strain Modulation of Si Vacancy Emission from SiC Micro- and Nanoparticles. Nano Letters. ISSN 1530-6984. 20(12), s. 8689–8695. doi: 10.1021/acs.nanolett.0c03472. Fulltekst i vitenarkiv
  • Reinertsen, Vilde Mari; Weiser, Philip Michael; Frodason, Ymir Kalmann; Bathen, Marianne Etzelmüller; Vines, Lasse & Johansen, Klaus Magnus H (2020). Anisotropic and trap-limited diffusion of hydrogen/deuterium in monoclinic gallium oxide single crystals. Applied Physics Letters. ISSN 0003-6951. 117. doi: 10.1063/5.0027333. Fulltekst i vitenarkiv
  • Bathen, Marianne Etzelmüller; Linnarsson, Margareta; Ghezellou, Mizagh; Ul Hassan, Jawad & Vines, Lasse (2020). Influence of Carbon Cap on Self-Diffusion in Silicon Carbide. Crystals. ISSN 2073-4352. 10(9). doi: 10.3390/cryst10090752. Fulltekst i vitenarkiv
  • Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Coutinho, José & Vines, Lasse (2020). Influence of hydrogen implantation on emission from the silicon vacancy in 4H-SiC. Journal of Applied Physics. ISSN 0021-8979. 127(8). doi: 10.1063/1.5140659. Fulltekst i vitenarkiv
  • Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Müting, Johanna; Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Grossner, Ulrike & Coutinho, José [Vis alle 8 forfattere av denne artikkelen] (2019). Electrical charge state identification and control for the silicon vacancy in 4H-SiC. npj Quantum Information. ISSN 2056-6387. 5(1), s. 1–9. doi: 10.1038/s41534-019-0227-y. Fulltekst i vitenarkiv
  • Bathen, Marianne Etzelmüller; Coutinho, José; Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Hassan, Jawad U; Farkas, Ildiko & Öberg, Sven [Vis alle 9 forfattere av denne artikkelen] (2019). Anisotropic and plane-selective migration of the carbon vacancy in SiC: Theory and experiment. Physical review B (PRB). ISSN 2469-9950. 100(1), s. 014103-1–014103-15. doi: 10.1103/PhysRevB.100.014103. Fulltekst i vitenarkiv
  • Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Hassan, Jawad U; Bergman, J. P. & Nipoti, Roberta [Vis alle 8 forfattere av denne artikkelen] (2018). Controlling the carbon vacancy in 4H-SiC by thermal processing. ECS Transactions. ISSN 1938-5862. 86(12), s. 91–97. doi: 10.1149/08612.0091ecst.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller; Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Vines, Lasse; Farkas, Ildiko; Janzen, Erik & Svensson, Bengt Gunnar (2018). Diffusion of the Carbon Vacancy in a-Cut and c-Cut n-Type 4H-SiC. Materials Science Forum. ISSN 0255-5476. 924, s. 200–203. doi: 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.200.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller & Linder, Jacob (2017). Spin Seebeck effect and thermoelectric phenomena in superconducting hybrids with magnetic textures or spin-orbit coupling. Scientific Reports. ISSN 2045-2322. 7, s. 1–13. doi: 10.1038/srep41409. Fulltekst i vitenarkiv
  • Linder, Jacob & Bathen, Marianne Etzelmüller (2016). Spin caloritronics with superconductors: Enhanced thermoelectric effects, generalized Onsager response-matrix, and thermal spin currents. Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics. ISSN 1098-0121. 93(22). doi: 10.1103/PhysRevB.93.224509. Fulltekst i vitenarkiv

Se alle arbeider i Cristin

  • Karsthof, Robert Michael; Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas & Vines, Lasse (2021). Conversion pathways of primary defects by annealing in proton-irradiated n-type 4H-SiC.
  • Karsthof, Robert Michael; Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Enga, Marius & Vines, Lasse (2021). Conversion pathways of primary defects by annealing in proton-irradiated n-type 4H-SiC.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller (2021). Paneldeltager på radioprogrammet Abels Tårn. [Radio]. NRK P2.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller (2020). Deltagelse i panelet til Radioprogrammet Abels Tårn. [Radio]. NRK P2.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller & Olsen, Vegard Skiftestad (2020). Foredrag for FA-studenter om halvlederfysikk.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller & Olsen, Vegard Skiftestad (2020). Foredrag for MENA-studenter om halvlederfysikk .
  • Bathen, Marianne Etzelmüller (2020). Deltagelse på Abels Tårn, NRK P2. [Radio]. NRK P2.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller (2019). Intervju av TV2 Nyhetskanalen, kl 0710, om kvantedatamaskiner. [TV]. TV2 Nyhetskanalen.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller & Jemterud, Torkild (2019). Abels Tårn. [Radio]. NRK P2.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller & Jemterud, Torkild (2019). Abels tårn . [Radio]. NRK P2.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Müting, Johanna; Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Grossner, Ulrike & Coutinho, J [Vis alle 7 forfattere av denne artikkelen] (2019). Electrical enhancement and switching of single-photon emission from the silicon vacancy in 4H-SiC.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller (2019). Kvantedatamaskiner - prinsipp, funksjon, og hvordan de nokså enkelt kan lages på labben.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller & Olsen, Vegard Skiftestad (2019). Omvisning for FA og ELITE.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller & Caroline, Enge (2019). Norske studenter lager spill til «den neste store teknologien»: Kvantedatamaskinen. [Avis]. Aftenposten.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Müting, Johanna; Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Grossner, Ulrike & Coutinho, José [Vis alle 8 forfattere av denne artikkelen] (2019). Electrical charge-state identification and emission intensity modulation of the silicon vacancy in 4H-SiC.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Müting, Johanna; Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Grossner, Ulrike & Coutinho, José [Vis alle 7 forfattere av denne artikkelen] (2019). Electrical enhancement and switching of single-photon emission from the silicon vacancy in 4H-Si.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller & Vines, Lasse (2019). Point defects in semiconductors for quantum technology: Example of silicon vacancy in silicon carbide.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller (2019). Abels Tårn. [Radio]. NRK P2.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller; Borgersen, Jon Arthur; Karlsen, Kjetil; Nyborg, Martin; Olsen, Vegard Skiftestad & Reinertsen, Vilde Mari [Vis alle 7 forfattere av denne artikkelen] (2019). Skolebesøk ved MiNaLab.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller & Vogt, Yngve (2018). Jakter på fremtidens IT-revolusjon. [Tidsskrift]. Teknisk ukeblad.
  • Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Ul Hassan, Jawad; Bergman, J. P. & Nipoti, Roberta [Vis alle 8 forfattere av denne artikkelen] (2018). Controlling the Carbon Vacancy in 4H-SiC By Thermal Processing.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller & Vogt, Yngve (2018). Defekte materialer kan brukes til kvantedatamaskiner. [Tidsskrift]. Apollon.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller (2018). Hvordan kan vi lage fremtidens datamaskiner? .
  • Coutinho, José; Gouveia, J. D.; Demmouche, K.; Bathen, Marianne Etzelmüller & Svensson, Bengt Gunnar (2018). Carbon vacancies and interstitials in 3C- and 4H-SiC: theoretical milestones and challenges.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller; Galeckas, Augustinas; Frodason, Ymir Kalmann; Vines, Lasse & Svensson, Bengt Gunnar (2018). Tuning silicon vacancy formation in 4H-SiC via proton irradiation for quantum technology.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller; Vines, Lasse; Galeckas, Augustinas; Frodason, Ymir Kalmann & Svensson, Bengt Gunnar (2018). Correlating charge state transitions of the Si vacancy to the S1/S2 peaks in DLTS spectra of n-type 4H-SiC.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller; Vines, Lasse; Galeckas, Augustinas; Frodason, Ymir Kalmann & Svensson, Bengt Gunnar (2018). Charge state transitions of the silicon vacancy in 4H-SiC: Combined DLTS, PL and DFT study.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller; Ingebrigtsen, Mads Eide; Olsen, Vegard Skiftestad; Rønning, Vegard & Vines, Lasse (2018). Omvisning for studieprogrammene FA og ELITE .
  • Bathen, Marianne Etzelmüller; Vines, Lasse & Riise, Heine Nygard (2018). Ina tar valget: halvlederfysikk.
  • Monakhov, Edouard; Bathen, Marianne Etzelmüller; Bergum, Kristin; Sky, Thomas Neset & Weiser, Philip Michael (2017). Omvisning for the National Natural Science Foundation of China.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller; Borgersen, Jon Arthur; Grini, Sigbjørn; Johansen, Klaus Magnus H; Nyborg, Martin & Olsen, Vegard Skiftestad [Vis alle 7 forfattere av denne artikkelen] (2017). Omvisning FAM.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller; Bergum, Kristin; Ellingsen, Josef Gert Åsheim; Grini, Sigbjørn; Sky, Thomas Neset & Aarseth, Bjørn Brevig (2017). Omvisning for Arendal VGS.
  • Riise, Heine Nygard; Bathen, Marianne Etzelmüller; Borgersen, Jon Arthur; Grini, Sigbjørn & Johansen, Klaus Magnus H (2017). Besøk frå Nanoskolen 2017.
  • Riise, Heine Nygard; Bathen, Marianne Etzelmüller; Grini, Sigbjørn; Olsen, Vegard Skiftestad & Sky, Thomas Neset (2017). Omvisning MENA.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller; Ayedh, Hussein Mohammed Hussein; Vines, Lasse; Farkas, Ildiko; Janzen, Erik & Svensson, Bengt Gunnar (2017). Diffusion of the Carbon Vacancy in a-cut and c-cut n-type 4H-SiC.
  • Enga, Marius Johan; Vines, Lasse & Bathen, Marianne Etzelmüller (2021). Exploring Defects in Silicon Carbide for Quantum Technologies; A Density Functional Theory Study. Universitetet i Oslo, Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet.
  • Selnesaunet, Gard Momrak; Vines, Lasse & Bathen, Marianne Etzelmüller (2021). Nanostructuring of SiC for novel defect-based quantum technologies. Universitetet i Oslo, Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet.
  • Bathen, Marianne Etzelmüller (2020). Point Defects in silicon carbide for quantum technologies: Identification, tuning and control . det matematisk naturvitenskapelige fakultet.

Se alle arbeider i Cristin

Publisert 17. aug. 2016 11:12 - Sist endret 13. des. 2019 13:00