The PhD defence and trial lecture will be streamed. The chair of the defence will moderate the disputation.
Ex auditorio questions: the chair of the defence will invite the audience physically present in the auditorium to ask ex auditorio questions.
→ Live streaming of trial lecture and disputation
→ Request for thesis copy (available until the disputation starts)
Trial lecture
Time and place: March 4 at 09:15 AM, 2026
Lille fysiske auditorium (V232) - Fysikkbygningen
Title: "Quantum Simulation of Lattice Gauge Theories”
Main research findings
Silicon carbide has received much attention as a host material for defects with properties that are highly attractive for quantum technology. The potential for room-temperature operation and industry-friendly integration makes silicon carbide a particularly promising platform. To realize a quantum technology platform based on silicon carbide, a detailed understanding of the defects is required, including how to generate them, how to characterize them, and how to control and manipulate them.
This thesis investigates multiple defects in silicon carbide through a chronological study that follows their life cycle from material growth to defect generation, using ion irradiation and thermal treatments, before device-related properties are characterized. The work also includes a comparison of equivalent defects across different polytypes of silicon carbide, providing a more general discussion of defects in the material system. Overall, the results contribute to the understanding of defects in silicon carbide, further maturing the material as a platform for quantum technology.
Hovedfunn (Norwegian)
Silisiumkarbid har fått mye oppmerksomhet fordi det inneholder defekter med egenskaper som er svært attraktive for kvanteteknologi. Materialet er spesielt lovende som plattform for kvanteteknologi fordi det kan anvendes ved romtemperatur og fordi det har muligheter for å skaleres industrielt. For å utvikle en plattform for kvanteteknologi basert på silisiumkarbid er det essensielt med en dyp forståelse av de aktuelle defektene, inkludert hvordan man lager dem, hvordan de kan karakteriseres, og hvordan de kan kontrolleres og manipuleres.
Denne avhandlingen studerer flere defekter i silisiumkarbid gjennom en kronologisk undersøkelse som følger defektene gjennom livsløpet deres fra materialvekst til defektdannelse, ved hjelp av ionebestråling og varmebehandlinger, og til slutt applikasjonsrelaterte egenskaper. Arbeidet inneholder også en sammenligning av ekvivalente defekter i forskjellige polytyper av silisiumkarbid som legger grunnlag for en mer generell diskusjon av defektene i materialsystemet. Resultatene som en helhet bidrar til forståelsen av defekter i silisiumkarbid og til å videre utvikle materialet som en plattform for kvanteteknologi.
Adjudication Committee
- Professor Walter Meyer, University of Pretoria, South Africa
- Associate Professor Marina Radulaski, University of California, USA
- Professor Olav Fredrik Syljuåsen, University of Oslo, Norway
Supervisors
- Professor Lasse Vines, Department of Physics, University of Oslo, Norway
- Professor Andrej Kuznetsov, Department of Physics, University of Oslo, Norway
- Dr. Marianne Etzelmüller Bathen, Department of Physics, University of Oslo, Norway
Chair of defence
Professor Alexander Lincoln Read, Department of Physics, University of Oslo, Norway
Candidate contact information
Phone number: 94839045
E-mail: erlendou@uio.no
Contact information to Department: Line Trosterud Resvold