English version of this page

Martin Bygdås

Bilete av Martin Bygdås
Besøksadresse Gaustadalléen 23A Kristen Nygaards hus
Postadresse Postboks 1048 Blindern 0316 Oslo

Faglige interesser

Halvlederdefekter for kvanteteknologi.
Spesifikt, enkeltfotonemittere i Aluminiumnitrid (AlN).
Tetthetsfunksjonalteori (DFT).

Bakgrunn

2019-2024 Siv. Ing. Fysikk og Matematikk, spesialisering innen Teknisk Fysikk, NTNU.
Masteroppgave: "Electronic Structure of the Topological Material Bi2Se3 in selected Nanoscale Configurations"

Emneord: LENS, Halvlederfysikk, SMN

Publikasjonar

  • Frøland, Mariann Carlsen; Furlan, Riccardo; Bygdås, Martin; Olsen, Vegard Standeren; Bathen, Marianne Etzelmüller & Vines, Lasse (2026). Sputtered Aluminum Nitride Thin Films as Waveguides and Hosts for Single-Photon Emitters. Fulltekst i vitenarkiv
  • Bygdås, Martin; Zalandauskas, Vytautas; Frøland, Mariann Carlsen; Farsund, Øystein; Vines, Lasse & Bathen, Marianne Etzelmüller (2026). Intrinsic defects in AlN for single-photon emission and spin manipulation. Fulltekst i vitenarkiv

Sjå alle arbeida i NVA

Publisert 1. aug. 2025 14:00 - Sist endra 6. okt. 2025 13:48