Disputas: Gorm Krogh Johnsen

Prøveforelesning

Bedømmelseskomité

Docent Stig Ollmar, CLINTEC, Karolinska Institutet, Sverige
Professor Lars Mørkrid, Seksjon for biokjemisk genetikk, Oslo Universitetssykehus, Oslo
Professor Eli Olaug Hole, Fysisk institutt, Universitetet i Oslo

Leder av disputas:  Professor Einar Sagstuen

Veileder:  Ørjan G. Martinsen og Sverre Grimnes

Sammendrag

I dette doktorgradsarbeidet har Gorm Krogh Johnsen studert hudens evne til å binde vann og hvordan dette påvirker hudens elektriske egenskaper. Mengden av vann i huden er den viktigste indikatoren på hvor bra den fungerer og denne mengden kan beregnes ut fra enkle elektriske målinger på huden. Resultatene vil kunne bidra til bedre diagnostisering av hudsykdommer, utvikling av farmasøytiske produkter (fuktighetskremer), samt til økt forståelse av hudens mange funksjoner. Generelt vil endringer i vev også vise seg i endrede elektriske egenskaper. Ved å sende en svak strøm mellom to eller flere elektroder får man et nøytralt og sikkert mål på hudens innhold av vann. Hvor godt huden leder strøm vil bl.a. avhenge av hvor mye svette det er i huden, og dermed kan svetteaktiviteten måles på en objektiv måte. Spesielt er svette i håndflatene interessant, da dette er knyttet til stressrelaterte situasjoner og nervøsitet (bl.a. løgndetektorer) og objektive vurderinger av smerte.

Vi har også vist at den elektriske motstanden i biologisk materiale kan ha ”minne” ved å modellere de elektriske egenskapene ved hjelp av en såkalt ”memory resistor”. Vi har studert hudens svettekanaler og vist at mengden elektrisk strøm som får passere avhenger av hva vevet husker. Det som avgjør hvor godt vevet husker er igjen bestemt av antallet elektrisk ladde partikler som har passert gjennom kanalen. Dette er en helt ny måte å beskrive elektriske egenskaper i biologisk vev og baserer seg på en hittil svært lite brukt løsning av Maxwells likninger. Arbeidet vil føre til at en del hittil underforklarte elektriske fenomener i biologi nå forhåpentligvis vil kunne forstås bedre og på en riktigere måte. En slik såkalt memristiv (memory resistor) modell er typisk for systemer på liten skala og vil også være gyldig for mange nanomaterialer.

Arbeidet er utført ved Fysisk institutt ved Universitetet i Oslo.

Kontaktperson

For mer informasjon, kontakt Christine Sundtveten.