Om prosjektet
CONCEPT (Crystalline Oxides for Next Generation Computing and Emerging Photonic Technologies) tar for seg grunnleggende begrensninger i dagens silisiumbaserte informasjons- og kommunikasjonsteknologi. Etter hvert som ytelse, energieffektivitet og datatransport nærmer seg fysiske grenser, er det behov for nye materialer og devicekonsepter.
Universitetet i Oslo leder CONCEPT og har en sentral rolle i utviklingen av prosjektets materialplattform. Prosjektet fokuserer på funksjonelle krystalline oksider, spesielt ferroelektriske materialer, som muliggjør nye løsninger for nevromorfisk databehandling og integrert fotonikk. Et sentralt vitenskapelig gjennombrudd i CONCEPT er bruk av atomlagavsetting (ALD) for å fremstille epitaksielle oksidfilmer ved lave, CMOS-kompatible temperaturer.
UiO bidrar med internasjonalt ledende kompetanse innen ALD-prosessutvikling for komplekse oksider. Ved å kombinere grunnleggende innsikt med industrirelevant integrasjon skal CONCEPT bygge bro mellom laboratorieforskning og fremtidig teknologi.
Målsettinger
Hovedmålet med CONCEPT er å etablere en skalerbar og industrikompatibel plattform for epitaksielle ferroelektriske oksider ved hjelp av atomlagavsetting. Prosjektet har som mål å demonstrere lavtemperaturprosesser som muliggjør høyytelses elektroniske og fotoniske enheter med lavt energiforbruk.
Bakgrunn
Tradisjonell halvlederteknologi nærmer seg nedre grenser for videre skalering, energieffektivitet og funksjonalitet. Ferroelektriske oksider har unike elektriske og optiske egenskaper som muliggjør nye beregningskonsepter og fotoniske komponenter med lave tap, men har tradisjonelt krevd høye prosess¬temperaturer.
Forskning ledet ved UiO har vist at atomlagavsetning kan overvinne disse begrensningene ved å muliggjøre krystallinsk oksidvekst ved langt lavere temperaturer. CONCEPT bygger videre på dette arbeidet for å etablere ALD som en nøkkelteknologi for fremtidens oksidbaserte elektronikk og fotonikk.
Implementering
CONCEPT kombinerer materialkjemi, tynnfilmvekst, avansert karakterisering og deviceintegrasjon. UiO leder utviklingen av nye ALD-prosesser for epitaksielle oksider og koordinerer integrasjonen med komplementære fremstillings- og karakteriseringsaktiviteter i konsortiet.
Påvirkning
Ved å muliggjøre industrikompatibel fremstilling av avanserte oksidmaterialer reduserer CONCEPT avstanden mellom vitenskapelige gjennombrudd og fremtidige teknologier. Prosjektet styrker UiOs og Europas posisjon innen neste generasjon elektronikk og fotonikk, og bidrar til mer energieffektive og bærekraftige IKT-løsninger.
Les mer om prosjektet på offisielle nettside : https://conceptproject.eu/ (engelsk)
