Faglige interesser
Jeg forsker på defekter i grenseflaten mellom silisiumkarbid (SiC) og silisiumoksid (SiO2). Slike grenseflater er sentrale i SiC-baserte kraftelektroniske komponenter, og uønskede defekter kan betydelig forringe komponentenes pålitelighet og ytelse. På den andre siden kan enkelte punktdefekter i halvledere være svært verdifulle for kvanteteknologi, hvor de kan fungere som stabile kvantebits eller sensitive kvantesensorer.
I min forskning arbeider jeg derfor med å:
- utvikle og optimalisere fabrikasjon av SiC-SiO2 grenseflater med kontroll over defekttype og defektkonsentrasjon
- karakterisere disse defektene med en kombinasjon av optiske og elektriske teknikker
- identifisering av defektene som er tilstede i grenseflaten
Dette gir innsikt som er viktig både for forbedring av kraftkomponenter og for utnyttelse av defekter i kvanteteknologiske anvendelser.
Undervisning
Universitet i Oslo:
FYS3280/4280: Halvlederkomponenter, Høst 2024
Bakgrunn
M.Sc. Materialvitenskap for energi- og nanoteknologi ved UiO (2023-2025)
B.Sc. Materialvitenskap for energi- og nanoteknologi ved UiO (2020-2023)